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ZrON^®低温温度计

ZrON^®低温温度计不仅具有灵敏度高、热响应快、工作温区范围大、热循环重复特性好和机械强度高等特性，还具有低磁阻、耐辐照和年漂移量小等优点，可广泛应用于低温/超低温系统、超导磁体系统、加速器、对撞机、同步辐射源、先进光源、中子源、高能物理 、天文望远镜 、宇宙微波背景辐射探测和量子计算等领域。

ZrON^®低温温度计的温度传感单元是磁控反应溅射生长的ZrON^®薄膜，通过调节磁控反应溅射中氮氧化物比例和生长温度来调节ZrON^®薄膜的温度响应范围，结合先进的光刻技术和封装工艺，实现从90mK-500K温度范围的全覆盖，标称校准温度范围：1.0K-325K，可扩展到 90mK温度下限和 500K 温度上限。ZrON^®低温温度计的典型温度准确性：±5mK@1K;±5mK @4.2K,±15mK@77K,±50mK@300K。

ZrON^®低温温度计有 SD、Bobbin 和 Can 三种标准封装，也可定制尺寸更小、质量更轻、热响应更快的ZrON^®裸芯片，而在超薄蓝宝石衬底上生长和加工的一体式ZrON^®裸芯片和低磁阻加热器是热容测试的首选。